专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种碳化硅异质结二极管功率器件专利类型：发明专利
发明人：吴昊,佟俊宏,陈然,黄兴,陈欣璐申请号：CN201910740008.4申请日：20190812公开号：CN110379861A公开日：20191025
摘要：本发明提供一种碳化硅异质结二极管功率器件。异质结二极管利用不同的半导体材料的能带隙，其性能非常接近理想二极管，对半导体技术具有重大影响。相比于传统碳化硅SBD和PiN二极管而言具有更小的导通压降，且可以在异质结层上通过不同的掺杂形成不同的势垒差随即获得不同的导通压降。因此本发明有助于大幅降低功率二极管的开通损耗。且本发明在减小二极管正向导通压降的同时对二极管的反向击穿电压不产生或仅产生极小的影响。
申请人：派恩杰半导体(杭州)有限公司
地址：310053 浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)四楼B4051室
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
