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专利名称：HIT太阳电池的硼掺杂发射极结构与制备方法专利类型：发明专利
发明人：吴伟梁,朱彦斌,陶龙忠,杨灼坚,陈海钧,肖文明申请号：CN201810861925.3申请日：20180729公开号：CN1022937A公开日：20181130
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及HIT太阳电池的硼掺杂发射极结构与制备方法。采用阶梯式硼原子掺杂浓度分布的薄膜，从高浓度逐步变为低浓度分布的硼原子，并且采用H等离子体处理阶梯式掺杂薄膜的界面，进一步引入CO或CH气体提高其光学带隙、降低掺硼薄膜的折射率。此结构能够有效地解决两个关键性问题：一、发射极的硼掺杂浓度增加，引起发射极缺陷态密度增加的问题，降低HIT太阳电池的开路电压；二、掺硼非晶硅薄膜的寄生性吸收问题，降低电池的前表面光学性能。最终，实现低复合、优越光学性能的掺硼发射极，提高HIT太阳电池的光电转换效率。
申请人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
地址：224000 江苏省盐城市经济技术开发区湘江路58号
国籍：CN
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