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专利名称：能降低导通电阻的MOS元件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：黄宗义
申请号：CN201811009202.7申请日：20180831公开号：CN1108753A公开日：20200310
摘要：本发明提出一种能降低导通电阻的MOS元件及其制造方法，其与现有技术的不同在于：1.基于本发明的MOS元件的结构中，其中第一轻掺杂区的长度大于第二轻掺杂区的长度及邻近于间隔层的第二轻掺杂区的杂质掺杂浓度高于第一轻掺杂区的杂质掺杂浓度；2.基于本发明的另一MOS元件的结构中，源极邻近于栅极的不具有间隔层的另一侧及漏极邻近于栅极的具有间隔层的一侧；以及第一轻掺杂区形成于栅极的介电层与间隔层的正下方而与漏极接触，使得通过上述MOS元件的结构能改善临界电压下滑以提高崩溃防护电压，并降低导通电阻。
申请人：立锜科技股份有限公司
地址：中国新竹县竹北市
国籍：CN
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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