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专利名称：用于等离子体处理的RF馈电结构专利类型：发明专利
发明人：陈志刚,沙希·拉夫,肯尼思·S·柯林斯,马丁·杰夫·萨利
纳斯,萨姆尔·班纳,瓦伦丁·N·托多罗夫
申请号：CN201010240683.X申请日：20100728公开号：CN102056391A公开日：20110511
摘要：本发明提供用于等离子体处理的设备。在一些实施方式中，RF馈电结构包括将RF功率耦合到多个对称布置的堆叠的第一RF线圈元件的第一RF馈电器；围绕所述第一RF馈电器同轴设置并与所述第一RF馈电器电绝缘的第二RF馈电器，所述第二RF馈电器将RF功率耦合到多个对称布置的堆叠的第二RF线圈元件，其中所述第二RF线圈元件与所述第一RF线圈元件同轴设置。在一些实施方式中，等离子体处理设备包括第一RF线圈；围绕所述第一RF线圈同轴设置的第二RF线圈；耦接到所述第一RF线圈以将RF功率提供到其上的第一RF馈电器；以及围绕所述第一RF馈电器同轴设置并与所述第一RF馈电器电绝缘的第二RF馈电器，所述第二RF馈电器耦接到所述第二RF线圈以将RF功率提供到其上。
申请人：应用材料股份有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
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