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专利名称：红光发光二极管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：庄东霖,黄逸儒,郭佑祯,沈志铭,黄琮训,黄靖恩申请号：CN202010209074.1申请日：20200323公开号：CN111725375A公开日：20200929
摘要：本发明提供一种红光发光二极管及其制造方法，所述红光发光二极管包括磊晶叠层、第一、第二电极、第一、第二电极垫。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层以及发光层。发光层的主要发光波长落在一红光范围内。磊晶叠层具有邻近第一型半导体层的第一侧与邻近第二型半导体层的第二侧。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接，且分别位于磊晶叠层的第一、第二侧。第一、第二电极垫分别设置于第一、第二电极上且分别与第一、第二电极电性连接。第一、第二电极垫位于磊晶叠层的第一侧。
申请人：新世纪光电股份有限公司
地址：中国台南市南部科学工业园区大利三路5号
国籍：CN
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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