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专利名称：一种用于浅沟槽隔离技术的化学机械抛光工艺专利类型：发明专利发明人：储佳
申请号：CN200410067833.6申请日：20041104公开号：CN1604301A公开日：20050406
摘要：本发明属集成电路技术领域，具体是一种用于STI的新的CMP工艺，它采用可变压力，并将抛光工艺分为次抛光和主抛光二个工艺段，次抛光压力低于主抛光压力，以减少或避免划伤硅片，提高CMP的面内不均匀性，同时提高工艺稳定性。
申请人：上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司
地址：200020 上海市淮海中路918号18楼
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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