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专利名称：场效应晶体管结构以及相关的射频开关专利类型：发明专利发明人：J.C.克兰德尔申请号：CN201280060734.8申请日：20121108公开号：CN103999227A公开日：20140820
摘要：本发明涉及场效应晶体管(FET)结构的装置和方法，其构造为在线性运行区域(Rds-on)中减小单位面积电阻值。诸如绝缘体上硅(SOI)装置的典型的FET装置要求较大的装置尺寸以希望降低Rds-on值。然而，这样的尺寸增加导致不希望的较大的芯片尺寸。所公开的是源极、漏极和对应栅极的各种形状示例，其产生降低的Rds-on值而不需要增加装置尺寸。在某些实施中，这样的FET装置可应用于高功率射频(RF)开关应用中。在某些实施中，多个这样的FET可串联连接以允许在高功率RF开关应用中使用SOI技术同时保持相对小的芯片尺寸。
申请人：天工方案公司
地址：美国马萨诸塞州
国籍：US
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：邱军
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