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专利名称：电容装置及谐振电路专利类型：发明专利
发明人：管野正喜,横田敏昭,羽生和隆,渡边诚,佐藤则孝申请号：CN200980137694.0申请日：20090924公开号：CN102165541A公开日：20110824
摘要：本发明抑制了由于在介电体层两侧彼此相对的电极之间的位移而导致的电容变化，从而能够稳定地制造出具有所期望电容的电容装置。本发明的电容装置所具有的结构包括介电体层(10)、第一电极(11)以及第二电极(12)，所述第一电极(11)形成于所述介电体层(10)的预定表面(10a)上，所述第二电极(12)形成于所述介电体层(10)的与所述预定表面(10a)相对的那一侧的表面(10b)上。所述第一电极(11)及所述第二电极(12)的形状被设定成：即使在所述第一电极(11)相对于所述第二电极(12)沿着预定方向在位置上发生相对位移的情况下，所述第一电极(11)与所述第二电极(12)二者的对置电极区域的面积也不会改变。
申请人：索尼公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
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