专利名称：存储单元阵列及其制法专利类型：发明专利发明人：S·施瓦茨尔申请号：CN99809580.X申请日：19990802公开号：CN1312943A公开日：20010912
摘要：在存储单元阵列内提供第1和第2导线,在其交叉处安排具有磁致电阻效应的存储元。提供一磁轭,分别包围导线之一并包含具有导磁率至少为10的可磁化材料。该磁轭是如此安排的,使得通过磁轭磁通基本上经存储元闭合。
申请人：因芬尼昂技术股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：中国专利代理()有限公司
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