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专利名称：可实现片上延时的上电复位电路专利类型：实用新型专利发明人：高彬,马岩
申请号：CN201020688358.5申请日：20101229公开号：CN201985827U公开日：20110921
摘要：一种可实现片上延时的上电复位电路，包括电压检测电路、振荡器、计数器、反相器以及输出缓冲电路；振荡器产生周期为T1的脉冲波形信号，计数器对脉冲波形信号进行计数，当计数器的计数值达到设定值m后，计数器输出由逻辑低电平变为逻辑高电平；输出缓冲电路输出逻辑高电平作为上电复位信号，即可以实现所需要的延时Tdelay为m×T1，再用输出缓冲电路输出的逻辑高电平关闭可编程振荡器和计数器。本实用新型解决了现有上电复位电路在不采用片外电容的情况下难以达到毫秒量级的延迟的技术问题，具有电路仅存在很小的瞬时功耗、可实现毫秒量级的延迟等优点。
申请人：山东华芯半导体有限公司
地址：250101 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件大厦B座二层
国籍：CN
代理机构：西安智邦专利商标代理有限公司
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